[14a-A305-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14a-A305-9] ミニマルTiN反応性スパッタ装置の成膜特性（４）

〇野田 周一¹、古賀 和博²、居村 史人¹、根本 一正¹、薮田 勇気³、山本 直子³、亀井 龍一郎³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.誠南工業（株）)

キーワード：ミニマルファブ、TiNメタルゲート、TiN反応性スパッタ

ミニマルファブではTiNメタルゲートSOI CMOSの製作が可能となり、TiN反応性スパッタ装置の実用化検討も最終段階に入りつつある。このため、TiN膜の品質、プロセス安定性およびコスト検討が急務である。分光エリプソメトリを用いた誘電関数解析によるTiN膜質評価および大面積MOSトランジスタのC-V測定によるV_FB測定手法とこれを用いたTiN成膜プロセス安定性の評価を行っている。