[14a-A401-1~5] 機能性酸化物のメモリデバイス応用とその物理解明に向けて

[14a-A401-2] 強誘電体トンネル酸化物を用いた抵抗変化メモリ

〇山口 まりな¹、藤井 章輔¹、太田 健介¹、齋藤 真澄¹ (1.キオクシア)

キーワード：強誘電体HfO2、強誘電体トンネル接合、不揮発メモリ

強誘電体トンネル酸化物を用いたトンネル接合(FTJ: Ferroelectric Tunnel Junction)メモリは、次世代不揮発メモリとして注目されている。我々は、CMOS親和性の高い強誘電体HfO₂を用いたFTJを試作し、nAオーダーでの低電流動作等の優れた性能を実証した。本発表では、FTJの性能改善を実現するための指針と検証結果、およびアプリケーション(AI応用)について紹介する。