[14a-A403-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[14a-A403-3] PID 劣化多結晶シリコンモジュールのp-n 間直流電圧印加による回復過程

〇傍島 靖¹、Go Sian Hi¹、橋本 紳吾¹、清水 健吾¹、亀山 展和¹、大橋 史隆¹、吉田 弘樹¹、増田 淳²、野々村 修一¹ (1.岐大工、2.産総研)

キーワード：太陽電池、電圧誘起劣化現象

多結晶シリコン太陽電池モジュールの劣化現象として知られる電圧誘起劣化(PID)現象の単時間回復手法として、p-n接合への直流電圧印加を行う手法の適用性評価を行った。サーモグラフィーによるプロセス中の温度評価を行った結果、電圧印加による温度上昇が確認された。この結果を受けて講演では高速回復技術や適用範囲についての報告も行う。