[14a-A404-3~11] 17.3 層状物質

[14a-A404-8] XPS時間依存測定による二次元MoS₂/SiO₂/ Si構造のトラップ評価

〇松沢 理宏^1,2、五十嵐 智³、松浦 賢太朗³、小林 大輔²、若林 整³、廣瀬 和之^1,2 (1.東大院工、2.JAXA宇宙研、3.東工大・工学院)

キーワード：二硫化モリブデン、X線光電子分光法、スパッターリング

近年，トランジスタにおけるチャネルの厚さが薄くなるにつれ移動度が低下するため，高い移動度を有するMoS_２二次元材料が期待されている．松浦らは高純度MoS₂薄膜の成膜および, ノーマリーオフ動作に初めて成功した．ただし，理論予測と較べてMOSFETで実測したキャリア移動度が低い．本研究では膜中や界面のトラップの評価が可能なXPS時間依存測定法を用いてキャリア移動度が低い原因の究明を検討した．