[14a-A404-3~11] 17.3 Layered materials

[14a-A404-8] Carrier Traps of 2D MoS₂ /SiO₂/ Si Studied by XPS Time-dependent Measurement

〇Masahiro Matsuzawa^1,2, Satoshi Igarashi³, Kentaro Matsuura³, Daisuke Kobayashi², Hitoshi Wakabayashi³, Kazuyuki Hirose^1,2 (1.Univ. Tokyo, 2.ISAS/JAXA, 3.Tokyo Tech.)

Keywords:molybdenum disulfide, XPS, sputtering

近年，トランジスタにおけるチャネルの厚さが薄くなるにつれ移動度が低下するため，高い移動度を有するMoS_２二次元材料が期待されている．松浦らは高純度MoS₂薄膜の成膜および, ノーマリーオフ動作に初めて成功した．ただし，理論予測と較べてMOSFETで実測したキャリア移動度が低い．本研究では膜中や界面のトラップの評価が可能なXPS時間依存測定法を用いてキャリア移動度が低い原因の究明を検討した．