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[14a-A407-8] [講演奨励賞受賞記念講演] 変位型相変化に伴うMnTe薄膜の電気的および光学的スイッチング
キーワード:MnTe、相変化、メモリ
MnTe薄膜はα相とβ相間の多形変化に伴い、電気的および光学的特性が大きく変化する。近年、融解を必要としないMnTe層の多形変化を利用することで、極めて低動作エネルギーで高速なメモリ特性を実現できることが分かった。本研究では、メモリデバイスにおけるMnTe薄膜の、多形変化メカニズムを明らかにすることを試みた。