[14a-A409-1~7] 12.4 有機EL・トランジスタ

[14a-A409-6] アンチ・アンバイポーラトランジスタの開発 Ⅱ -低駆動電圧化への取り組み-

〇渕井 康太^1,2、早川 竜馬¹、小橋 和義^1,3、山田 洋一²、若山 裕^1,3 (1.物質・材料研究機構、2.筑波大数理、3.九大院工)

キーワード：アンチ・アンバイポーラトランジスタ、低駆動電圧化、表面・界面制御

IOT社会の実現に向け柔軟性と計算機能を両立する情報処理端末が求められる。これに対し我々は室温で負性抵抗を示す特殊な有機トランジスタ(AAT)を開発し、多値論理回路へ応用できることを実証した。本講演では、AATの低駆動電圧化に向け1）ソース・ドレイン(S-D)電極直下への電荷注入層（阻害層）の導入、2）高誘電率ゲート絶縁膜の適用、3）ゲート絶縁膜の表面コーティング材料について検討したので報告する。