[14a-A410-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14a-A410-10] Evaluation of deep levels in 4H-SiC PiN structure with a p layer formed by ion implantation or epitaxial growth

〇Shuhei Fukaya¹, Yoshiyuki Yonezawa², Tomohisa Kato², Masashi Kato¹ (1.Nagoya Inst of Tech., 2.AIST)

Keywords:power device, 4H-SiC

4H-SiC PiNダイオードのアノードプロセスとしてp層へのイオン注入が用いられているが、イオン注入範囲よりも深い領域で生成されている10¹³ cm^-3以下の濃度範囲の欠陥の分布は詳しく分かっていない。そこで本研究では、高濃度p++イオン注入の影響を観測することを目的として、4H-SiC PiNダイオードの試料を用意し、DLTS法により深い準位の評価を試みた。