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[14a-A410-10] イオン注入もしくはエピによりp層形成した4H-SiC PiN構造における深い準位の評価
キーワード:パワーデバイス、4H-SiC
4H-SiC PiNダイオードのアノードプロセスとしてp層へのイオン注入が用いられているが、イオン注入範囲よりも深い領域で生成されている1013 cm-3以下の濃度範囲の欠陥の分布は詳しく分かっていない。そこで本研究では、高濃度p++イオン注入の影響を観測することを目的として、4H-SiC PiNダイオードの試料を用意し、DLTS法により深い準位の評価を試みた。