[14a-A410-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14a-A410-9] Carrier lifetime distribution in 4H-SiC SJ-UMOSFET

〇Takuya Fukui¹, Keisuke Nagaya¹, Takeshi Tawara², Masashi Kato¹ (1.NITech, 2.AIST)

Keywords:semiconductor, Super Junction, SiC

4H-SiC パワーデバイスにおいて、キャリアライフタイムは性能と信頼性に寄与する重要なパラメータである。オン抵抗を下げるためのスーパージャンクション(SJ)構造は、nドリフト層にp層を注入する為キャリアライフタイムに影響を与える可能性がある。そこで本研究では、高空間分解能の自由キャリア吸収(FCA)法を用いて、SJ構造のキャリアライフタイムを評価した。