[14a-A410-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [14a-A410-3] Study on high concentration of boron and nitrogen co-doping in 4H-SiC by closed sublimation growth

〇(B)Yoma Yamane¹, Daiki Tanaka¹, Weifang Lu¹, Kousuke Yanai¹, Satosi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki RC)

Keywords:SiC, closed sublimation growth

ホウ素、窒素をコドーピングした6H-SiCは蛍光SiCと呼ばれ、DAP発光によって約570nmをピークとするブロードな蛍光スペクトルが得られる。この蛍光SiCとポーラス構造を持ったポーラス蛍光SiCを組み合わせることによって演色性の高い白色LEDの作製が可能となる。本研究では材料を6H-SiCから4H-SiCへと変更し、B,Nの高濃度コドーピング達成に向けた成長温度の検討、成長圧力制御による表面状態改善の検討を行った。