[14a-A410-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14a-A410-4] Photoluminescence Measurements for 4H-SiC at High Temperature

〇Masafumi Hanawa¹, Hidekazu Tsuchida¹ (1.CRIEPI)

Keywords:4H-SiC, high temperature, photoluminescence

本研究では高窒素ドープ(N: 2x10¹⁸/cm³)SiCの光ルミネセンス(PL)法によるバンド端発光の室温から約500℃までの高温における挙動変化を正確に捉えることを目標とした。実験はカートリッジヒータを備えた小型炉を用い、温度変化をさせながらサファイアガラスの窓を通してHe-Cdレーザー(325nm)を光源としたPL法の測定をすることにより行った。その結果、測定された発光強度分布は再現性良く温度に対して系統的な変化を見せた。当日はこの測定データの解析を踏まえてバンド端発光の温度変化の詳細を発表する予定である。