[14a-A410-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [14a-A410-3] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討

〇(B)山根 耀真¹、田中 大稀¹、Weifang Lu¹、柳井 光佑¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.赤﨑記念研究センター)

キーワード：SiC、近接昇華法

ホウ素、窒素をコドーピングした6H-SiCは蛍光SiCと呼ばれ、DAP発光によって約570nmをピークとするブロードな蛍光スペクトルが得られる。この蛍光SiCとポーラス構造を持ったポーラス蛍光SiCを組み合わせることによって演色性の高い白色LEDの作製が可能となる。本研究では材料を6H-SiCから4H-SiCへと変更し、B,Nの高濃度コドーピング達成に向けた成長温度の検討、成長圧力制御による表面状態改善の検討を行った。