[14a-A410-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [14a-A410-5] ワイドギャップ半導体の衝突イオン化係数にバンド構造が与える影響の解析

〇田中 一^1,2、木本 恒暢¹、森 伸也² (1.京大、2.阪大院工)

キーワード：衝突イオン化係数、SiC