[14a-A410-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14a-A410-8] 4H-SiC極性面の表面再結合速度の注入フォトン数依存性

〇韓 磊¹、加藤 智久²、加藤 正史¹ (1.名工大、2.産総研)

キーワード：4H-SiC、表面再結合速度、注入フォトン数依存性

キャリアライフタイム𝜏の値はSiCバイポーラデバイスにおいて、デバイス性能を左右する重要なパラメータである。また、𝜏の制限因子の中には表面再結合が存在しており、定量的な値を得ることがデバイス設計に不可欠である。本研究では、μ-PCD法とTRFCA法により、4H-SiCの極性面における表面再結合速度Sの注入フォトン数依存性の解析を行った。