The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14a-B401-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Sat. Mar 14, 2020 9:00 AM - 12:00 PM B401 (2-401)

Kenji Shiojima(Univ. of Fukui)

9:00 AM - 9:15 AM

[14a-B401-1] Irradiation energy dependence of hole traps introduced by electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

Meguru Endo1, Kazutaka Kanegae1, Masahiro Horita1,2, Jun Suda1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, Deep level, Electron beam

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく,我々は,意図的に点欠陥を導入し,形成される深い準位との相関を調べている.これまでに,n-GaNに対しエネルギー401 keVの電子線照射を行うことによって,ホールトラップEHyが観測されることを報告してきた.今回は,低エネルギーにて電子線照射を行った試料に対して,光ICTS測定を行うことで,ホールトラップEHyを評価し,このトラップの電子線の照射エネルギー依存性について調べたので報告する.