The 67th JSAP Spring Meeting 2020

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14a-B401-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Sat. Mar 14, 2020 9:00 AM - 12:00 PM B401 (2-401)

Kenji Shiojima(Univ. of Fukui)

10:00 AM - 10:15 AM

[14a-B401-5] Mg recoil implantation into GaN with incident Nitrogen ion(5)

Toshikazu Yamada1, Hisashi Yamada1, Tokio Takahashi2, Mituaki Shimizu1 (1.AIST GaN-OIL, 2.AIST ESPRIT)

Keywords:wide bandgap semiconductor, GaN, recoil implantation method

GaNにおいて、ダメージ吸収とMg供給の2つの役割を持つ層を、バルク層上に積層した上で、そこに窒素原子を注入し、はじき出されたMgがGaNバルク層に入って、イオン注入衝撃を低減したまま、p-GaN層を形成させる事を試している(リコイルインプラテーション)。今回は、比較のためエピ成長させたp-GaNの熱アニールプロセスを評価した。その結果、凝集Mg(極性反転)が全く移動せず、P層の膜厚が有意に増加しているなど、同プロセスが単純でない事が示唆された。