[14a-B401-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B401-6] 常圧で活性化熱処理したMg注入GaN層のホール効果測定

〇田中 亮¹、高島 信也¹、上野 勝典¹、江戸 雅晴¹、堀田 昌宏²、須田 淳² (1.富士電機、2.名大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、ホール効果

常圧で活性化熱処理したMg注入GaN層のホール特性の温度依存性について報告する。Mg注入層には活性化改善のためNを連続注入した。また安定した測定を行うため、p+エピをコンタクト層として用いた。その結果、Mgイオン注入層のp型電導およびホール濃度の温度依存性が明確に確認され、Mg濃度約3E18 cm^-3の注入層で、Mg濃度3.9E17 cm^-3のp型エピ層と低温側でほぼ同等の特性が得られた。