[14a-B401-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14a-B401-9] DLTS and MCTS study of n-GaN Schottky diodes fabricated after removal of gate oxide

〇Sayaka Harada¹, Kazuya Tamura², Towa Kojima², Yukito Furugori², Hikaru Yoshida², Yutaka Tokuda², Takashi Okawa¹, Hidemoto Tomita¹ (1.Toyota Motor Corp., 2.Aichi Inst. of Technol.)

Keywords:DLTS, MCTS, GaN

n-GaN上にP-CVD法とALD法により堆積させたSiO₂とのn-GaN界面の界面準位密度について、DLTS法を用いて評価し、ALD堆積SiO₂/n-GaN界面準位密度が低密度である事とフォーミングガスアニールの効果について報告した。今回はSiO₂膜を除去して作製したショットキーダイオードを用いて、n-GaNのバルクトラップについて評価を行ったので報告する。その結果、P-CVD膜除去試料では深い準位の電子トラップの導入が示唆された。正孔トラップの評価から、ALD, P-CVD膜除去試料とも250K付近をピークに持つブロードな信号が観測された。信号強度はALD SiO₂膜除去試料の方が大きく、その原因について検討している。