[14a-B410-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [14a-B410-2] Spectral Responsivity Characteristics of FSI InGaAs PhotoFETs

〇(B)Kazuaki Oishi^1,2, Hiroyuki Ishii², Chang Wen Hsin², Tetsuji Shimizu², Hiroto Ishii^1,2, Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹, Tatsuro Maeda^1,2 (1.TUS, 2.AIST)

Keywords:semiconductor, InGaAs, PhotoFET

我々は、Si 基板上の化合物半導体を利用したモノリシック集積型の近赤外検出器 を開発している。これまでに、Si-LSI で構成される読み出し回路(ROIC)との集積を目指して、 InGaAs 層の Si 基板への転写技術により表面照射型の近赤外 PhotoFET を試作した。今回、その近赤外領域の分光感度特性を評価したので報告する。