[14a-B410-1~10] 3.13 半導体光デバイス

△ [14a-B410-2] 表面照射型 InGaAs PhotoFET の分光感度特性

〇(B)大石 和明^1,2、石井 裕之²、張 文馨²、清水 鉄司²、石井 寛仁^1,2、遠藤 聡¹、藤代 博記¹、前田 辰郎^1,2 (1.東理大、2.産総研)

キーワード：半導体、InGaAs、フォトトランジスタ

我々は、Si 基板上の化合物半導体を利用したモノリシック集積型の近赤外検出器 を開発している。これまでに、Si-LSI で構成される読み出し回路(ROIC)との集積を目指して、 InGaAs 層の Si 基板への転写技術により表面照射型の近赤外 PhotoFET を試作した。今回、その近赤外領域の分光感度特性を評価したので報告する。