[14a-B410-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

[14a-B410-7] Photoluminescence spectroscopy of selective MOVPE growth of GaInAsP/GaInAsP MQW structure on wafer bonded InP/Si substrate

〇(B)Kota Shibukawa¹, Koki Tsushima¹, xu Han¹, Takahiro Ishizaki¹, Masaki Matsuura¹, Takuto Shirai¹, Motonari Sato¹, Keta Fujiwara¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Silicon photonics, Optical Interconnection, Optical Communication

大規模集積回路の高速大容量通信を低消費電力で実現に向け，当研究室では，MOVPE法によって，薄膜InPをSi基板に直接貼り付けをしたInP/Si基板を作製し，光デバイスを集積する手法を提案してきた[1,2]．今回，このInP/Si基板上において，フォトリソグラフィによってSiO₂薄膜を任意の幅でパターンニングし，SiO₂がないストライプ部のみを選択的にエピタキシャル成長をすることで，GaInAsP/ GaInAsP MQW構造をMOVPE成長した. この構造のフォトルミネッセンス特性の比較を行ったので，その結果を報告する．