[14a-B410-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

[14a-B410-8] Comparison of the Temperature Characteristics of Intermixed Quantum Dot LDs for Implanted Ions

〇Atsushi Matsumoto¹, Kouichi Akahane¹, Syohei Isawa², Runa Kaneko², Yuichi Matsushima², Katsuyuki Utaka² (1.NICT, 2.Waseda Univ.)

Keywords:Quantum dot, Intermixing, laser

これまでイオン注入を用いたQD組成混晶化（IID-QDI）技術により、再成長不要なQDモノリシックPICを実証してきた。BイオンはArに比べより大きなバンドギャップの変化・制御が可能である一方、ArによるIID-QDIを実施したウェハは非常に温度特性に優れたLDに応用出来ることも実証してきた。今回、新たにBによるIID-QDIを実施したLDを作製し評価した結果、特性向上が出来たので報告する。