The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

3 Optics and Photonics » 3.13 Semiconductor optical devices

[14a-B410-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

Sat. Mar 14, 2020 9:30 AM - 12:15 PM B410 (2-410)

Masakazu Arai(Univ. of Miyazaki), Kiyoto Takahata(Waseda univ.)

11:45 AM - 12:00 PM

[14a-B410-9] InGaAs/InAlAs multiple quantum well optical modulator integrated with planar antenna for 60-GHz band radio over fiber technology

Yusuke Miyazeki1, Hiroto Yokohashi2, Shotaro Kodama2, Hiroshi Murata2, Taro Arakawa1 (1.Yokohama Nat'l Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:Modulator, Semiconductor, Planar antenna

ミリ波帯Radio over fiber技術のため、ニオブ酸リチウム(LN)や非線形光学ポリマをベースにしたアンテナ集積光変調器が報告されている。これらはポッケルス効果を用いて動作するが、小型化や変調効率の向上に限界がある。そこで本研究では、InP系アンテナ集積光変調器を開発し、その動作実証に初めて成功した。本変調器は、導波路コア層に用いた5層非対称結合量子井戸(FACQW)の量子閉じ込めシュタルク効果を利用して動作する。FACQWは、LNと比較して数倍から数十倍大きい電界誘起屈折率変化を示し、高い変調効率を実現できる。また、本変調器はInPをベースとするため、半導体発光素子との集積性も高い。本稿では、開発したInP系アンテナ集積光変調器の変調特性について示す。