[14a-D221-1~12] 6.2 Carbon-based thin films

△ [14a-D221-4] Mechanism of Diamond Heteroepitaxial Growth on Sapphire Substrate

〇(B)Ryota Takaya¹, Yuki Kawamata², Koji Koyama², Seong-woo Kim², Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ., 2.Adamant Namiki Precision Jewel.)

Keywords:Heteroepitaxial diamond, Sapphire

​ダイヤモンドは絶縁破壊電界、熱伝導率，キャリア移動度に優れ、SiC、GaNを越える高周波・高出力デバイスが期待されている。一方、2インチ径で単結晶並みの品質をもつヘテロエピタキシャルダイヤモンド(Kenzan Diamond^Ⓡ)が実現している。これは従来のMgOやSi/YSZ基板でなくサファイア基板用いているが、その成長機構はよく分かっていない[1, 2]。そこで本研究ではその成長機構を調べたので報告する