[14a-D221-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14a-D221-7] 最大ゲート幅W_G = 1 mmを有するALD-Al₂O₃多結晶ダイヤモンドMOSFETsの高周波特性評価

〇(B)荒井 雅一¹、今西 祥一朗¹、久樂 顕¹、堀川 清貴¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、高周波、FET

我々は高温ALD法を用いてゲート絶縁膜・保護膜としてAl₂O₃を堆積させた高周波ダイヤモンドMOSFETsを作製し、出力電力密度P_out = 3.8 W/mmを報告してきた。更なる出力電力の向上にはゲート幅を拡大することが有効である。本研究では、ゲート幅W_Gを100 µmから1 mmまで拡大した2DHGダイヤモンドMOSFETsを作製し、高周波特性を評価した。