10:00 AM - 10:15 AM
[14a-D411-1] Thermal image analysis of the formation process of silicon protrusions in surface liquid phase epitaxy under locally applied tensile stress
Keywords:surface liquid phase epitaxy, thermal image analysis
局所応力印加下でSi(100)ウェーハを1280℃程度に1秒間,通電加熱すると局所的に表面融液が形成し,その融液がエレクトロマイグレーションにより通電電流方向へ移送され,低温域で液相エピ成長し突起構造が形成された.成長後の表面構造をSEM観察すると,直径410 μmΦ程度の溶融痕と高さ58μmの突起構造が存在した.今回,局所表面液相エピ成長の成長過程を熱画像カメラで解析し,表面突起構造の形成過程を調べた.