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[14a-D411-1] 応力印加場での局所表面融液エピタキシャル結晶成長による突起構造形成過程の熱画像解析
キーワード：表面融液エピタキシャル結晶成長、熱画像解析
局所応力印加下でSi(100)ウェーハを1280℃程度に1秒間，通電加熱すると局所的に表面融液が形成し，その融液がエレクトロマイグレーションにより通電電流方向へ移送され，低温域で液相エピ成長し突起構造が形成された．成長後の表面構造をSEM観察すると，直径410 μmΦ程度の溶融痕と高さ58μmの突起構造が存在した．今回，局所表面液相エピ成長の成長過程を熱画像カメラで解析し，表面突起構造の形成過程を調べた.