2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[14a-D419-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

2020年3月14日(土) 09:00 〜 12:15 D419 (11-419)

内田 寛(上智大)、川江 健(金沢大)

10:30 〜 10:45

[14a-D419-6] (Al1-xScx)N薄膜の強誘電特性に及ぼす製膜条件の影響

〇(M1)安岡 慎之介1、清水 荘雄1,2、上原 雅人3、舟窪 浩1 (1.東工大、2.物材研、3.産総研)

キーワード:強誘電体、薄膜、窒化物

AlNに第3族元素のScを固溶させた(Al1-xScx)Nは2019年に強誘電性を持つと報告され、その良好な特性から注目が高まっている。本研究では新規の研究として(Al1-xScx)Nの極薄膜を二元同時スパッタリング法により作製し結晶構造及び強誘電特性に関して評価を行った。