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[14a-D419-7] スパッタリング法で作製したGaNおよびSc添加GaN薄膜の強誘電性評価
キーワード:強誘電性、窒化物、スパッタリング
ウルツ鉱型AlNやGaNはc軸方向に自発分極を持ち、圧電体としてMEMSに応用されている。また、これらにScを添加すると軟化して圧電定数d33が飛躍的に増加する。最近、Fichtnerらにより、スパッタリング法で作製されたSc添加AlNが強誘電特性を示すことが報告された。GaNのSc添加による特性変化はAlNに類似しており、GaNも強誘電性を示す可能性がある。本研究ではGaNやSc添加GaN配向薄膜をスパッタリング法で作製し、その強誘電性について調査した。