[14a-D419-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[14a-D419-7] スパッタリング法で作製したGaNおよびSc添加GaN薄膜の強誘電性評価

〇上原 雅人¹、安岡 慎之介²、清水 荘雄²、山田 浩志¹、秋山 守人¹、舟窪 浩² (1.産総研、2.東工大)

キーワード：強誘電性、窒化物、スパッタリング

ウルツ鉱型AlNやGaNはc軸方向に自発分極を持ち、圧電体としてMEMSに応用されている。また、これらにScを添加すると軟化して圧電定数d₃₃が飛躍的に増加する。最近、Fichtnerらにより、スパッタリング法で作製されたSc添加AlNが強誘電特性を示すことが報告された。GaNのSc添加による特性変化はAlNに類似しており、GaNも強誘電性を示す可能性がある。本研究ではGaNやSc添加GaN配向薄膜をスパッタリング法で作製し、その強誘電性について調査した。