[14a-PA2-1~18] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[14a-PA2-18] 自己触媒VLS法を用いた再成長InPコアシェルナノワイヤの形状変化

〇(M1C)石原 理暉¹、桑原 圭¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：InP ナノワイヤ、自己触媒VLS法、MOVPE

Ⅲ-Ⅴ族化合物ナノワイヤの成長の一つとしてMOVPEによる自己触媒VLS法が挙げられる。この成長方法はAu等の金属粒子の代わりに同じⅢ族元素を触媒として使用することでナノワイヤを成長することができる。我々はこれを用いてInP(111)B基板上にInPコアを形成した後にGaInAs/InPマルチシェルを形成することでInP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤを成長し、物性評価、及びデバイス応用に向けた研究を行っている。本報告では連続成長法および再成長法で作製されたInP/InPコアシェルナノワイヤの形状について述べる。