[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [14p-A302-12] 酸化物ガス添加によるOVPE-GaN結晶成長における多結晶生成抑制

〇(B)清水 歩¹、神山 将大²、石橋 桂樹²、津野 慎太郎²、北本 啓²、今西 正幸²、吉村 政志³、隅 智亮⁴、滝野 淳一⁴、岡山 芳央⁴、秦 雅彦⁵、伊勢村 雅士⁶、森 勇介² (1.阪大工、2.阪大院工、3.阪大レーザー研、4.パナソニック(株)、5.伊藤忠プラスチックス(株)、6.(株)創晶應心)

キーワード：OVPE、窒化ガリウム、結晶成長

Ga源としてGa₂Oガスを用いるOVPE法では、固体の副生成物が生成しないため、原理的に長時間の成長が期待できる。しかし現状では、100µm/ｈ以上の高速成長条件では基板上多結晶が厚膜化を阻害するという問題がある。そこで本研究では、多結晶の原因としてGaNの分解により生じるGa dropletに着眼し、キャリアガスに酸化物ガスを添加することによってGa droplet由来の多結晶発生の抑制について試みた。