[14p-A302-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-A302-16] Pillar diameter dependence of internal quantum efficiency and light extraction efficiency in InGaN/GaN nanopillars fabricated by HEATE method

〇Takao Oto¹, Yusuke Namae², Shoma Suzuki¹, Aoto Aihara¹, Akihiko Kikuchi^2,3 (1.Yamagata Univ., 2.Sophia Univ., 3.Sophia PRC)

Keywords:InGaN, Nanostructures

膜状のInGaN/GaN量子井戸に水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法を施してピラー状の構造を系統的に作製し，構造の把握が十分できている状態でナノ構造効果の評価を行った．ピラー直径の減少に伴うナノ構造効果を定量的に検討した結果，内部量子効率の実験結果を概ね再現した．光取り出し効率に関しても実験とFDTDシミュレーションの比較を行った結果，ともに300 nm付近で最大となった．ナノ構造効果を十分に理解した構造の最適化が重要である．