[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-A302-16] HEATE法で作製したInGaN/GaNナノピラーにおける内部量子効率・光取り出し効率のピラー径依存性

〇大音 隆男¹、生江 祐介²、鈴木 翔馬¹、相原 碧人¹、菊池 昭彦^2,3 (1.山形大院理工、2.上智大理工、3.上智大フォトニクス研)

キーワード：InGaN、ナノ構造

膜状のInGaN/GaN量子井戸に水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法を施してピラー状の構造を系統的に作製し，構造の把握が十分できている状態でナノ構造効果の評価を行った．ピラー直径の減少に伴うナノ構造効果を定量的に検討した結果，内部量子効率の実験結果を概ね再現した．光取り出し効率に関しても実験とFDTDシミュレーションの比較を行った結果，ともに300 nm付近で最大となった．ナノ構造効果を十分に理解した構造の最適化が重要である．