[14p-A302-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[14p-A302-17] Etching depth control by selective anodic oxidation in GaN oxide-formed two-step wet-etching method

〇(M2)Yasuharu Kiyotou¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Tech., 2.IIS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:semiconductor, GaN, etching

GaNに対する低ダメージかつ制御性の高いエッチング方法としてウェットエッチングの適用を検討することは重要である。前回までに我々は，暗黒下でのGaNの陽極酸化と形成された酸化物の除去によるGaNの2段階ウェットエッチング法において，単純に通電量を少なくするだけでは出来ない浅いウェットエッチングを選択的陽極酸化により実現させた。今回はこの選択的陽極酸化の深さ制御を検討し，異なる深さのウェットエッチングに成功した。