[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-A302-3] GaN膜成長に用いるCZ法ScAlMgO₄単結晶の結晶特性評価

〇藤井 高志^1,4、白石 裕児¹、南都 十輝¹、福田 承生¹、家地 洋之²、遠藤 亮³、杉江 隆一³ (1.福田結晶研、2.日大理工、3.東レリサーチセンター、4.桂オプティクス)

キーワード：SAM、GaN、単結晶

CZ法による直径75㎜のScAlMgO₄単結晶作製と直径50㎜のSAMバルク無転位単結晶の作製とX線評価を報告している。今回は、GaNエピタキシャル成長を行う場合に必要となる種々の物性測定を実施した。実施した内容は、組成、微量不純物、弾性率、硬さ、比熱、熱伝導率、光学特性（THz～紫外）、X線構造解析等である。さらに、MOCVD法によりGaN膜の成長を行った。