[14p-A303-1~14] 【CS.4】 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

△ [14p-A303-2] Characteristics of the Multi-Coated Hf_0.5Zr_0.5O₂ Films by a Chemical Solution Deposition Method

〇(M1)Hiroshi Ota¹, Taichi Inoue¹, Yuichi Hirofuji¹, Kazuto Koike¹, Mitsuaki Yano¹ (1.Osaka Inst. of Tech.,NMRC)

Keywords:oxide semiconductor, CSD, Hf0.5Zr0.5O2

我々は，マイクロアクチュエータや圧電センサに向けて，低コスト成膜法で有名な溶液塗布熱分解法（ゾル・ゲル法）を繰り返してHZO積層膜を作製した．乾燥（大気雰囲気）までの繰り返し成膜では非強誘電相monoclinic構造が支配的となったが，焼成（窒素雰囲気）までの繰り返し成膜では膜厚の増加に関係なく，強誘電相orthorhombic構造を維持している結果が得られたことを報告する．