[14p-A303-1~14] 【CS.4】 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

△ [14p-A303-6] Improvement of MFSFET characteristics with ferroelectric non-doped HfO₂ utilizing Hf interfacial layer

〇(M2)Masakazu Kataoka¹, Masaki Hayashi¹, Min Gee Kim¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:ferroelectric thin film, RF magnetron sputtering, HfO2

強誘電体HfO₂薄膜は、Si基板上への形成が可能で、高速かつ低電圧で動作する強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。これまで、我々はHf界面層(IL)による低誘電率界面層の形成を抑制するプロセスに関して報告してきた。今回、Hf界面層を導入し、強誘電性ノンドープHfO₂を用いたMFSFET に関する検討を行ったので報告する。