[14p-A303-1~14] 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

△ [14p-A303-6] Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO₂薄膜の形成とMFSFETの特性向上

〇(M2)片岡 正和¹、林 将生¹、Kim Min Gee¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大)

キーワード：強誘電体薄膜、RFマグネトロンスパッタ、HfO2

強誘電体HfO₂薄膜は、Si基板上への形成が可能で、高速かつ低電圧で動作する強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。これまで、我々はHf界面層(IL)による低誘電率界面層の形成を抑制するプロセスに関して報告してきた。今回、Hf界面層を導入し、強誘電性ノンドープHfO₂を用いたMFSFET に関する検討を行ったので報告する。