2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

コードシェアセッション » 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

[14p-A303-1~14] 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェア

2020年3月14日(土) 13:45 〜 17:30 A303 (6-303)

藤村 紀文(阪府大)、徳光 永輔(北陸先端大)

15:15 〜 15:30

[14p-A303-7] 走査型非線形誘電率顕微鏡による(Hf,Zr)O2薄膜の観察

藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、右田 真司2 (1.兵庫県大、2.産総研)

キーワード:HfO2、分極疲労、非線形比誘電率顕微鏡

高集積FeRAMへの応用が期待されるHfO2系強誘電体薄膜は,繰り返しの書き換えに伴う分極反転疲労が著しく,解決すべき課題として残されている.疲労の原因を明らかにするには,微視的な強誘電特性の理解が必要と考え,非線形比誘電率顕微鏡(SNDM)を用いて,(Hf,Zr)O2薄膜の強誘電特性をSNDMにより観察した結果について報告する.