[14p-A303-1~14] 【CS.4】 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[14p-A303-9] Endurance property of low-temperature (300 °C)-fabricated ferroelectric Hf_xZr_1−xO₂ thin films using plasma-enhanced atomic layer deposition

〇Takashi Onaya^1,2,3,4, Toshihide Nabatame³, Yongchan Jung², Hernandez-Arriaga Heber², Jaidah Mohan², Harrison S. Kim², Ava Khosravi², Naomi Sawamoto¹, Takahiro Nagata³, Robert M. Wallace², Jiyoung Kim², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.UT Dallas, 3.NIMS, 4.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:ferroelectric HfxZr1-xO2 thin film, plasma-enhanced atomic layer deposition, endurance property

Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜は、強誘電体メモリへ向けた候補材料として検討されているが、疲労による分極特性の劣化が問題とされている。前回の応物にて、プラズマ原子層堆積(PE-ALD)法によるHZO膜は、300 °Cの低温度熱処理後でも優れた強誘電性を示すことを報告した。本研究では、300 °Cの低温度プロセスで作製したPE-ALD HZO膜を用いて、分極反転回数が強誘電性及びリーク電流特性へ及ぼす影響を調べた。