The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

Joint Session M "Phonon Engineering" » 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[14p-A405-1~15] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

Sat. Mar 14, 2020 1:15 PM - 5:30 PM A405 (6-405)

Yoshiaki Nakamura(Osaka Univ.), Junichiro Shiomi(Univ. of Tokyo), Takashi Yagi(AIST)

4:30 PM - 4:45 PM

[14p-A405-12] Performance Comparison between Single- and Poly-crystalline Si Nanowire for Planar Thermoelectric Generator

Motohiro Tomita1, Hiroki Takezawa1, Kohei Mesaki1, Yuto Goi2, Hiroya Ikeda2, Hiroshi Inokawa2, Takashi Matsukawa3, Takeo Matsuki1,3, Takanobu Watanabe1 (1.Waseda Univ., 2.Shizuoka Univ., 3.AIST)

Keywords:thermoelectric, silicon, semiconductor

多結晶Si(Poly-Si)は単結晶Si(SC-Si)よりも熱電性能の高い材料として有望視されている。しかし、我々の提案するプレーナ型構造においてはどちらの材料が優れているのか不明であった。本研究では、SC-SiおよびPoly-Siを用いたプレーナ型熱電発電素子を作製し、発電性能の比較を行った。コンタクト抵抗などが高い影響でPoly-SiはSC-Siの0.5~0.8倍の発電性能を発揮するにとどまった。コンタクト抵抗を低減できればPoly-Siを用いたプレーナ型構造でもSOIと同等の発電力が得られる可能性がある。