2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」 » 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[14p-A405-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2020年3月14日(土) 13:15 〜 17:30 A405 (6-405)

中村 芳明(阪大)、塩見 淳一郎(東大)、八木 貴志(産総研)

16:30 〜 16:45

[14p-A405-12] 単結晶および多結晶Siナノワイヤを用いたプレーナ型熱電発電素子の性能比較

富田 基裕1、武澤 宏樹1、目崎 航平1、五井 悠仁2、池田 浩也2、猪川 洋2、松川 貴3、松木 武雄1,3、渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.静大、3.産総研)

キーワード:熱電変換、シリコン、半導体

多結晶Si(Poly-Si)は単結晶Si(SC-Si)よりも熱電性能の高い材料として有望視されている。しかし、我々の提案するプレーナ型構造においてはどちらの材料が優れているのか不明であった。本研究では、SC-SiおよびPoly-Siを用いたプレーナ型熱電発電素子を作製し、発電性能の比較を行った。コンタクト抵抗などが高い影響でPoly-SiはSC-Siの0.5~0.8倍の発電性能を発揮するにとどまった。コンタクト抵抗を低減できればPoly-Siを用いたプレーナ型構造でもSOIと同等の発電力が得られる可能性がある。