[14p-B401-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14p-B401-11] Fabrication and Characterization of Directly-Bonded GaN/Poly-Diamond Junction

〇Ayaka Kobayashi¹, Yasuo Shimizu², Yutaka Ohno², Seong-Woo Kim³, Koji Koyama³, Makoto Kasu⁴, Naoteru Shigekawa¹, Jianbo Liang¹ (1.Osaka City Univ., 2.IMR Tohoku Univ., 3.Adamant Namiki Precision Jewel Co.,Ltd., 4.Saga Univ.)

Keywords:semiconductor, diamond, power device

AlGaN/GaN HEMT は高出力・高周波デバイスとして実用化が進んでいる。しかし、高出力動作時の自己発熱による効率低下と信頼性の劣化は依然として課題である。 HEMTの熱抵抗を低減するために、 高い熱伝導率を有するダイヤモンドを熱拡散層とする GaN-on-Diamond 構造の研究が行われている。今回、我々は大口径基板の合成が可能な多結晶ダイヤモンドとSi 基板上に結晶成長したGaN 層とを表面活性化接合法(SAB)を用いて常温で直接接合し、その界面構造を評価した。