[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-B401-11] GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価

〇小林 礼佳¹、清水 康雄²、大野 裕²、金 聖祐³、小山 浩司³、嘉数 誠⁴、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪市大工、2.東北大金研、3.アダマンド並木精密宝石(株)、4.佐賀大院工)

キーワード：半導体、ダイヤモンド、パワーデバイス

AlGaN/GaN HEMT は高出力・高周波デバイスとして実用化が進んでいる。しかし、高出力動作時の自己発熱による効率低下と信頼性の劣化は依然として課題である。 HEMTの熱抵抗を低減するために、 高い熱伝導率を有するダイヤモンドを熱拡散層とする GaN-on-Diamond 構造の研究が行われている。今回、我々は大口径基板の合成が可能な多結晶ダイヤモンドとSi 基板上に結晶成長したGaN 層とを表面活性化接合法(SAB)を用いて常温で直接接合し、その界面構造を評価した。