[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-B401-12] 自立基板上GaNエピ層/GaAs直接接合界面のナノ構造評価

〇廣瀬 淳¹、清水 康雄²、大野 裕²、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪市立大学、2.東北大金研)

キーワード：半導体、パワーデバイス

GaNは高い絶縁破壊電圧を有し、高温でも安定した特性を示す。GaAsは電子輸送特性に優れ、高速、高周波素子に広く応用されている。GaNとGaAsの組み合わせが実現されれば、高周波特性・耐圧のいずれにおいても従来を凌ぐ素子の実現が期待される。直接接合の素子プロセス検討を行うにあたり接合界面の耐熱性の検証が不可欠である。今回、我々はGaN自立基板上に結晶成長されたGaNエピ層とGaAsを接合し、熱処理前後の界面のナノ構造を評価した。