[14p-B401-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14p-B401-13] Fabrication and Characterization of Ga₂O₃/3C-SiC bonding interface

〇Jianbo Liang¹, Yasuo Shimizu², Yutaka Ohno², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:Ga2O3, SiC, direct bonding

Ga₂O₃は、SiC、GaNの数倍のバリガ指数を有し、パワーデバイス材料として大きな期待を集めている。一方、Ga₂O₃の熱伝導率（0.1 W/cm・K）はSiC、GaNと比較して１桁低く、ハイパワー動作時に自己発熱によるデバイス性能と信頼性の劣化が懸念されている。
本研究では、表面活性化接合(SAB)法［１、２］を用いて常温でGa₂O₃を高熱伝導率を有するSiC（4.9 W/cm・K）と直接接合し、接合界面の特性評価を通して、低熱伝導率に伴うGa₂O₃の放熱問題を解決する糸口を探索する。