[14p-B401-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14p-B401-12] Characterization of nanostructure of directly-bonded GaN epi layer grown on free-standing substrare/GaAs interface

〇Makoto Hirose¹, Yasuo Shimizu², Yutaka Ohno², Jianbo Liang¹, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor, power device

GaNは高い絶縁破壊電圧を有し、高温でも安定した特性を示す。GaAsは電子輸送特性に優れ、高速、高周波素子に広く応用されている。GaNとGaAsの組み合わせが実現されれば、高周波特性・耐圧のいずれにおいても従来を凌ぐ素子の実現が期待される。直接接合の素子プロセス検討を行うにあたり接合界面の耐熱性の検証が不可欠である。今回、我々はGaN自立基板上に結晶成長されたGaNエピ層とGaAsを接合し、熱処理前後の界面のナノ構造を評価した。