[14p-B401-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [14p-B401-5] Study on gain improvement in AlGaN/GaN MOS HEMTs

〇(M1)Ali Baratov¹, Takashi Ozawa¹, Mohammad Nazrin¹, Shunpei Yamashita¹, Joel T. Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Masato Nishimori², Yoichi Kawano², Masaaki Kuzuhara¹ (1.Univ. of Fukui, 2.Fujitsu Laboratories Ltd.)

Keywords:AlGaN/GaN MOS HEMT, MOS HEMT gain, MOS HEMT small signal parameters

AlGaN/GaN HEMTが低抵抗かつ高耐圧特性を有する次世代デバイスとして期待されている。我々は前回、ゲート絶縁膜にAl₂O₃を用いたMOS HEMTがショットキーゲート（SG）HEMTに比べて優れた電流利得遮断周波数ftを示すことを報告した。しかし、高周波利得が増加する要因について十分な議論がなされていなかった。本研究では、Al₂O₃, ZrO₂, SiO₂をゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MOS HEMTを試作し小信号等価回路解析を行った。その結果、膜種に依存せずMOS HEMTの遮断周波数ftが標準のSG HEMTに比べて2倍以上増加することが確認されたので報告する。