The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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15 Crystal Engineering » 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[14p-PB10-1~5] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

Sat. Mar 14, 2020 4:00 PM - 6:00 PM PB10 (PB)

4:00 PM - 6:00 PM

[14p-PB10-1] High-resolution and high-speed Raman imaging via ultraviolet/deep-ultraviolet light

Kohta Saitoh1, Mariko Adachi1, Minoru Kobayashi1, Satoshi Kawata1 (1.Nanophoton Corp.)

Keywords:Raman spectroscopy, Ultraviolet light, Semiconductor

ラマン顕微鏡は、半導体の結晶性や応力・欠陥の空間分布を評価する有用な手法の1つである。今回、紫外・深紫外光を励起光とする高分解能かつ高速なラマン顕微鏡を開発した。紫外光は物質に対する侵入長が浅くなるため表層のみを選択的に分析可能となり、また光子エネルギーが高いためワイドギャップ半導体に対する発光・共鳴ラマン測定を可能とする。講演では開発したラマン顕微鏡の原理とラマンイメージングの例を発表する。