[14p-PB10-1~5] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [14p-PB10-4] First principles analysis of H-doping impact on intrinsic point defect behavior in growing CZ-Si crystal (2)

〇(M1)Takuya Kusunoki¹, Koji Sueoka², Wataru Sugimura³, Masataka Hourai³ (1.Graduate School of Okayama Pref. Univ., 2.Okayama Pref. Univ., 3.SUMCO)

Keywords:point defect, hydrogen, first principles analysis

成長中のCZ-Si結晶にHドープすることにより，無欠陥領域が拡大することが知られている．本研究では，Si 64原子モデルを用い，H原子周囲での全ての配置における原子空孔(V )と格子間Si(I )の形成エネルギーに関する第一原理計算を行った．その結果を用い，Hドープが固液界面から取り込まれるV とI の濃度に与える影響について，定量的な解析を行った．得られた結果は実験結果と比較的良い一致を示した．