[14p-PB10-1~5] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [14p-PB10-4] H ドープCZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に関する第一原理解析(2)

〇(M1)楠木 琢也¹、末岡 浩治²、杉村 渉³、宝来 正隆³ (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工、3.SUMCO)

キーワード：点欠陥、水素、第一原理解析

成長中のCZ-Si結晶にHドープすることにより，無欠陥領域が拡大することが知られている．本研究では，Si 64原子モデルを用い，H原子周囲での全ての配置における原子空孔(V )と格子間Si(I )の形成エネルギーに関する第一原理計算を行った．その結果を用い，Hドープが固液界面から取り込まれるV とI の濃度に与える影響について，定量的な解析を行った．得られた結果は実験結果と比較的良い一致を示した．